PL

檢測原理

· 光緻發光( Photoluminescence,簡稱PL) ,太陽電池的缺陷往往限制其光電轉換效率和使用壽命

· 光緻發光可快速通過少子壽命變化進行矽片檢測,其原理是(shì)利用光緻發光原理獲取晶體矽的熒光照片,且有高分辨率,用以探測矽片的粗糙面及内部破損情況

· 相(xiàng)對比EL測試需要接觸樣品才能進行,PL測試不接觸樣品,因此可對生産電池片中各生産過程進行監控



項目規格
設備尺寸

長450mm寬450mm高770mm

适用最大尺寸175*175mm
适用Wafer類型

單晶、多晶

最高産能

>3600PCS/小時

像素精度

<0.34mm(0.5K 線(xiàn)掃相(xiàng)機)

檢測缺陷精度<0.34mm

UPTime

>98%



項目規格

黑心、黑邊、黑

單晶、多晶

隐裂單晶、多晶
劃痕

單晶、多晶

污染

單晶、多晶

斷栅

單晶、多晶

燒結不均

單晶、多晶
位錯

多晶

破損單晶、多晶

成像效果

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