膜後AOI

設備特點

· 精準數控式積分曲面RGB無影光源,全進口千萬像素級工業CCD及鏡頭

· 設備結構高度集成,安裝方便,系統穩定,操作&維護簡單

· 在線(xiàn)式檢測,可與産線(xiàn)MES無縫連接

· 采用高色度還原算法,可真實還原電池片顔色,精确分辨不同電池片色差或同一電池片内色差,從而進行高精度分選。


項目規格

相(xiàng)機分辨率

2000萬

設備尺寸

L320xW461xH801m

适用Wafer尺寸

156*156~166*166 mm

适用Wafer類型

單晶、多晶,金剛線(xiàn)單晶、多晶,PERC電池片

最高産能

7000PCS/小

像素精度

<0.047mm

檢測缺陷精度<0.09mm

UPTime

>98%

誤判率<0.5%

漏判率

<0.1%


項目質量降級标準檢測能力要求
劃傷L<1.5mm、W<1mmL≥1mm、W≥0.5mm可檢出
髒污S<3mm²

S≥0.3mm²可檢出

色差

距離(lí)50cm目視不允許存在明顯發白、發黃、發紅現(xiàn)象

局部(S≥2mm²)發紅、發黃、發白、發綠等可檢出
色斑S≤4mm²S≥0.3mm²可檢出
小白點S≤4mm²S≥0.3mm²可檢出
水印S≤5mm²S≥0.3mm²可檢出
裂紋不允許肉眼可視的可檢出
手指印不允許S≥1mm²可檢出
缺角不允許S≥0.2mm²可檢出
崩邊、缺口L<1.5mm、H<0.5mm、S≤4mm²L≥1.5mm、H≥0.5mm、S≥2mm²可檢出

成像效果

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